Однопереходные полупроводниковые приборы реферат

Октябрина

Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Принцип действия диода. Согласно европейской системе обозначений активных компонентов Pro Electron , введённой в году и состоящей из двух букв и числового кода:. Применение полупроводниковых приборов Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов. На схемах транзисторы допускается изображать, как в окружности, так и без неё рис. Особенностью этого периода развития было то, что физика полупроводников была ещё плохо изучена, все достижения являлись следствием экспериментов, учёные затруднялись объяснить, что происходит внутри кристалла, часто выдвигая ошибочные гипотезы. Условное обозначение полупроводниковых приборов, классификация и основные параметры.

Из-за малости этого напряжения ток будет спадать работа врачебная тайна медленно, и для ускорения выключения нагрузки может потребоваться использование более сложной защитной схемы: стабилитрон последовательно с диодом, диод в комбинации с резисторомваристором или резисторно- ёмкостной цепочкой [10].

Диодные переключатели применяются для коммутации высокочастотных сигналов. Этим не исчерпывается применение диодов в электронике, однако другие схемы, как правило, весьма узкоспециальны. Совершенно другую область применимости имеют специальные диоды, поэтому они будут рассмотрены в отдельных статьях. Материал из Википедии — свободной энциклопедии.

Текущая версия страницы пока не проверялась опытными участниками и может значительно отличаться от однопереходные полупроводниковые приборы рефератпроверенной 13 мая ; проверки требуют 59 правок. У этого термина существуют и другие значения, см. Диод значения. На корпусе прибора катод обозначается кольцом или точкой. Основная статья: Электровакуумный диод. Основная статья: Полупроводниковый диод. Этот раздел статьи ещё не написан. Согласно замыслу одного или нескольких участников Википедии, на этом месте должен располагаться специальный раздел.

Вы можете помочь проекту, написав этот раздел. Эта отметка установлена 31 января года. Дополнительные сведения: Pro Electron. Основная статья: Electronic symbol. Основная статья: Детектор электронное устройство. Основная статья: Барьер искрозащиты. Согласно решению Арбитражного комитета Википедиисписки предпочтительно основывать на вторичных обобщающих авторитетных источникахсодержащих критерий включения элементов в список.

В этом разделе не хватает ссылок на источники информации. В биполярном транзисторе используются полупроводники с обоими типами проводимости, он работает за счет взаимодействия двух, близко расположенных на кристалле, p-n переходов и управляется изменением тока через база-эмиттерный переход, при этом вывод эмиттера всегда является общим для управляющего и однопереходные полупроводниковые приборы реферат токов.

В полевом транзисторе используется полупроводник только одного типа проводимости, расположенный в виде тонкого канала, на который воздействует электрическое поле изолированного от канала затвора [3]управление осуществляется изменением однопереходные полупроводниковые приборы реферат между затвором и истоком. Полевой транзистор, в отличие от биполярного, управляется напряжением, а не током.

К м годам транзисторы, благодаря своей миниатюрности, экономичности, устойчивости к механическим воздействиям и невысокой стоимости практически полностью вытеснили электронные лампы из малосигнальной электроники. Благодаря своей способности работать при низких напряжениях и значительных токах, транзисторы позволили уменьшить потребность в электромагнитных реле и механических переключателях в оборудовании, а благодаря способности к миниатюризации и интеграции позволили создать интегральные схемызаложив основы микроэлектроники.

С х в связи с появлением новых мощных транзисторов, стали активно вытесняться электронными устройствами трансформаторы, электромеханические и тиристорные ключи в силовой электротехнике, начал активно развиваться Частотно-регулируемый привод и инверторные преобразователи напряжения.

До х гг. В году немецкий физик Карл Фердинанд Браун впервые обнаружил явление односторонней проводимости контакта металл—полупроводник. В году инженер Гринлиф Виттер Пиккард изобретает точечный полупроводниковый диод-детектор. В году английский физик Уильям Икклз обнаружил у некоторых полупроводниковых диодов способность генерировать электрические колебания, а инженер Олег Лосев в году самостоятельно разработал диоды, обладающие при некоторых напряжениях смещения отрицательным дифференциальным сопротивлением, с помощью которых впервые успешно использовал усилительные и генераторные свойства полупроводников Кристадинный эффектв детекторных и гетеродинных радиоприёмниках собственной конструкции.

Особенностью этого периода развития было то, что физика полупроводников была ещё плохо изучена, все достижения являлись следствием экспериментов, учёные затруднялись объяснить, что происходит внутри кристалла, часто выдвигая ошибочные гипотезы. Потенциальных перспектив полупроводников никто не. Первый шаг в создании полевого транзистора сделал австро-венгерский физик Юлий Эдгар Лилиенфельдкоторый предложил метод управления током в образце путём подачи на него поперечного электрического поля, которое, воздействуя на носители заряда, будет управлять проводимостью.

Однако несмотря на то, что полевые транзисторы основаны на простом электростатическом эффекте поля и по протекающим в них физическим процессам проще биполярных, создать работоспособный образец полевого транзистора долго не удавалось. Работоспособный полевой транзистор был создан уже после открытия биполярного транзистора. В году Уильям Шокли теоретически описал модель полевого транзистора другого типа, модуляция тока в котором, в отличие от ранее предложенных МДП [8] структур, осуществлялась изменением толщины проводящего канала за счёт расширения или сужения обеднённой области, прилегающего к каналу р-n-перехода.

Это происходило при подаче на переход управляющего напряжения запирающей полярности затворного диода. Первый полевой МДП-транзистор, запатентованный ещё в е годы и сейчас составляющий основу компьютерной индустрии, впервые был создан в году после работ американцев Канга и Аталлы, предложивших в качестве слоя затворного диэлектрика формировать на поверхности кремниевого кристалла с помощью окисления поверхности кремния тончайший слой диоксида кремнияизолирующий металлический затвор от проводящего канала, такая структура получила название МОП-структура Металл-Окисел-Полупроводник.

В отличие от полевого, первый биполярный транзистор создавался экспериментально, а его физический принцип действия был объяснён уже позднее. Иоффе провёл ряд экспериментов с полупроводниковым устройством, конструктивно повторяющим точечный транзистор на кристалле карборунда SiCоднако достаточного коэффициента усиления получить тогда не удалось.

Изучая явления электролюминесценции в полупроводниках, Лосев исследовал около 90 различных материалов, особенно выделяя кремний, и в году он вновь упоминает о работах над трёхэлектродными системами в своих записях, но начавшаяся война и гибель инженера в блокадном Ленинграде зимой года привели к тому, что некоторые его работы оказались утеряны и сейчас неизвестно, насколько далеко он продвинулся в создании транзистора.

В начале х годов однопереходные полупроводниковые приборы реферат трёхэлектродные усилители изготовили также радиолюбители Ларри Кайзер из Канады и Роберт Адамс из Новой Зеландии, однако их работы не были запатентованы и не подвергались научному анализу [5]. Стабилизатор электрический - параметрических рис. Действие газоразрядных С.

Область значений стабилизируемого напряжения у таких С. Полупроводниковый стабилитронполупроводниковый диод, на выводах которого напряжение остаётся почти постоянным при изменении в некоторых пределах величины протекающего в нём электрического тока.

Рабочий участок вольтамперной характеристики П. Эта ёмкость представляет собой барьерную ёмкость электронно-дырочного перехода и изменяется от единиц до сотен пф однопереходные полупроводниковые приборы реферат отдельных В. Полупроводниковые материалы. В радиоэлектронных устройствах свойство нелинейности изменения ёмкости В.

Транзистор от англ. Изобретён в У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином Нобелевская премия, В униполярных Т. Подробно об униполярных Т. Полевой транзистор. В биполярных Т. Такой Т.

К отдельному классу П. При напряжении обратной полярности кривая зависимости тока от напряжения выглядит так же, как соответствующая часть ВАХ полупроводникового диода.

В зависимости от порядка их чередования различают Т. Средняя область её обычно делают очень тонкой - порядка нескольких мкм, называется базой, две другие - эмиттером и коллектором.

  • Рисунок 3 - Условно - графическое обозначения транзисторов n-p-n а и p-n-p б.
  • Диодные переключатели применяются для коммутации высокочастотных сигналов.
  • Стабилитроны - это полупроводниковые диоды, падение напряжения на которых мало зависит от протекающего тока.
  • Оптопары Электропроводимость полупроводников.
  • Плоскостной переход.
  • Тиристор от греч.

База отделена от эмиттера и коллектора электронно-дырочными переходами р-n-переходами : эмиттерным ЭП и коллекторным КП. От базы, эмиттера и коллектора сделаны металлические выводы. Рассмотрим физические процессы, происходящие в Т. К ЭП прикладывают напряжение Uбэ, которое понижает потенциальный барьер перехода и тем самым уменьшает его сопротивление электрическому току то есть Полупроводниковые приборы включают в направлении пропускания электрического тока, или в прямом направленииа к КП - напряжение Ukб, повышающее потенциальный барьер перехода и увеличивающее его сопротивление КП включают в направлении запирания или в обратном направлении.

Под действием напряжения Uбэ через ЭП течёт ток iэ, который обусловлен главным образом перемещением инжекцией электронов из эмиттера в базу. Проникая сквозь базу в область КП, электроны захватываются его полем и однопереходные в коллектор. При этом через КП течёт коллекторный ток ik. Однако не все инжектированные электроны достигают КП: часть их по пути рекомбинирует с основными носителями в базе - дырками число рекомбинировавших электронов тем меньше, чем меньше толщина базы и концентрация дырок в.

Всякое изменение Реферат вызывает изменение iэ в соответствии с вольтамперной характеристикой p-n-перехода и, следовательно, ik. Сопротивление КП велико, поэтому сопротивление нагрузки Rн в цепи КП можно выбрать достаточно большим, и тогда Dik будет вызывать значительные изменение напряжения на нём.

В результате на Rн можно получать электрические сигналы, мощность контрольная основы 2 вариант будет во много раз превосходить мощность, затраченную в цепи Однопереходные полупроводниковые приборы реферат. Подобные же физические процессы происходят и в Т. Эмиттер в Т. В соответствии с механизмом переноса не основных носителей через базу различают бездрейфовые Т.

Однопереходные полупроводниковые приборы реферат 6643

По электрическим характеристикам и областям применения различают Т. Различают также низкочастотные Т. В качестве полупроводниковых приборы реферат для изготовления Т. В соответствии с технологией получения в кристалле зон с различными типами проводимости см. Полупроводниковая электроника Т. Планарная технология однопереходные планарно-эпитаксиальные.

По конструктивному исполнению Т. Наибольшее распространение получили планарные и планарно-эпитаксиальные кремниевые Т. С изобретением Т. По сравнению с радиоэлектронной аппаратурой первого поколения на электронных лампах аналогичная по назначению радиоэлектронная аппаратура полупроводниковые поколения на полупроводниковых приборах, в том числе на Т.

Размеры полупроводникового элемента современного Т. Надёжность работы Т. В отличие от электронных ламп Т.

Мощные Т. Верхний предел диапазона частот усиливаемых Т.

Реферат: Полупроводниковые приборы

По шумовым характеристикам в области низких частот Т. В области частот до 1 Ггц Т. На более высоких частотах коэффициент шума возрастает, достигая дб на частотах Ггц. Успехи планарной технологии позволили создавать на одном кристалле полупроводника площадью мм2 электронные устройства, насчитывающие до нескольких десятков тыс. Рисунок 2 — Условно-графическое обозначение диоды.

Подробнее о диодах смотрите здесь:. Выпрямительные диоды. Силовые диоды. Параметры и схемы выпрямителей. Фотодиоды: устройство, характеристики и принципы работы.

Полупроводниковые приборы

Транзистор - однопереходные полупроводниковые приборы реферат полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов, а также коммутации электрических цепей. Отличительной особенностью транзистора является способность усиливать напряжение и ток - действующие на входе транзистора напряжения и токи приводят к появлению на его выходе напряжений и токов значительно большей величины. С распространением цифровой электроники и импульсных схем основным свойством транзистора является его способность находиться в открытом и закрытом состояниях под действием управляющего сигнала.

Свое название транзистор получил от сокращения двух английских слов tran sfer re sistor - управляемый резистор. Это название неслучайно, так как под действием приложенного к транзистору входного напряжения сопротивление между его выходными зажимами может регулироваться в очень широких пределах. Транзистор позволяет регулировать ток в цепи от нуля до максимального значения. Классификация транзисторов:.

Доклад юденич николай николаевич22 %
Вклад гиппократа в медицину реферат1 %

В зависимости от выполняемых функций транзисторы могут работать в трех режимах:. При этом транзистор эквивалентен замкнутому контакту реле. Режимы насыщения и отсечки используются в цифровых, импульсных и коммутационных схемах.

Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами и тремя выводами, обеспечивающей усиление мощности электрических сигналов. В биполярных транзисторах ток обусловлен движением носителей заряда двух типов: электронов и дырок, что и определяет их название.

Однопереходные полупроводниковые приборы реферат 9780

На схемах транзисторы допускается изображать, как в окружности, так и без неё рис. Стрелка указывает направление протекания тока в транзисторе. Рисунок 3 - Условно - графическое обозначения транзисторов n-p-n а и p-n-p б.

Однопереходные полупроводниковые приборы реферат 5975945

Основой транзистора является пластина полупроводника, в которой сформированы три участка с чередующимся типом проводимости - электронным и дырочным. От базы, эмиттера и коллектора сделаны металлические выводы. Рассмотрим физические процессы, происходящие в Т. К ЭП прикладывают напряжение U бэкоторое понижает потенциальный барьер перехода и тем самым уменьшает его сопротивление электрическому току то есть ЭП включают однопереходные полупроводниковые приборы реферат направлении пропускания электрического тока, или в прямом направленииа к КП - напряжение U kбповышающее потенциальный барьер перехода и увеличивающее его сопротивление КП включают в направлении запирания или в обратном направлении.

Под действием напряжения U бэ через ЭП течёт ток i экоторый обусловлен главным образом перемещением инжекцией электронов из эмиттера в базу. Проникая сквозь базу в область КП, электроны захватываются его полем и втягиваются в коллектор. При этом через КП течёт коллекторный ток i k.

Однако не все инжектированные электроны достигают КП: часть их по пути рекомбинирует с основными носителями в базе - дырками число рекомбинировавших электронов тем меньше, чем меньше толщина базы и концентрация дырок в.

Всякое изменение U бэ вызывает изменение i э в соответствии с вольтамперной характеристикой p-n-перехода и, следовательно, однопереходные полупроводниковые приборы реферат k. Сопротивление КП велико, поэтому сопротивление нагрузки R н в цепи КП можно выбрать достаточно большим, и тогда Di k будет вызывать значительные изменение напряжения на нём. В результате на R н можно получать электрические сигналы, мощность которых будет во много раз превосходить мощность, затраченную в цепи ЭП.

Однопереходные полупроводниковые приборы реферат 465409

Подобные же физические процессы происходят и в Т. Эмиттер в Т. В соответствии с механизмом переноса не основных носителей через базу различают бездрейфовые Т. По электрическим характеристикам и областям применения различают Т.

Различают также низкочастотные Т. В качестве полупроводниковых материалов для изготовления Т. В соответствии с технологией получения в кристалле зон с различными типами проводимости см. Полупроводниковая электроника Т. Планарная технология и планарно-эпитаксиальные. По конструктивному исполнению Т.

Наибольшее распространение получили планарные и планарно-эпитаксиальные кремниевые Т.

Полупроводниковые приборы

С изобретением Т. По сравнению с радиоэлектронной аппаратурой первого поколения однопереходные полупроводниковые приборы реферат электронных лампах аналогичная по назначению радиоэлектронная аппаратура второго поколения на полупроводниковых приборах, в том числе на Т. Размеры полупроводникового элемента современного Т.

Надёжность работы Т. В отличие от электронных ламп Т. Мощные Т. Верхний предел диапазона частот усиливаемых Т. По шумовым характеристикам в области низких частот Т. В области частот до 1 Ггц Т. На более высоких частотах коэффициент шума возрастает, достигая дб на частотах Ггц. Успехи планарной технологии позволили создавать на одном кристалле полупроводника площадью мм 2 электронные устройства, насчитывающие до нескольких десятков тыс.

Такие устройства, получившие название интегральных микросхем ИС, см.

Рабочий участок вольтамперной характеристики П. Наибольшее распространение получили планарные и планарно-эпитаксиальные кремниевые Т.

Интегральная схемаявляются основой радиоэлектронной аппаратуры третьего поколения. Примером такой аппаратуры могут служить наручные электронные часы, содержащие от до Т. Переход к использованию ИС определил новое направление в конструировании и производстве малогабаритной и надёжной радиоэлектронной аппаратуры, получившее название микроэлектроники. Достоинства Т.